Нанесение покрытий распылением в псевдоожиженном слое
Решения для нанесения покрытий на мелкие частицы
При распылении материала покрытия в псевдоожиженном слое на поверхности частиц создается равномерная пленка, оптимально покрывающая их поверхность. Это позволяет целенаправленно влиять на свойства продукта и оптимизировать их в зависимости от стоящих перед вами задач.
Данная технология состоит в напылении жидкого покрытия на поверхность частиц различной формы и размера, движущихся в псевдоожиженном слое. После испарения водного или органического растворителя содержащееся в нем твердое вещество образует оболочку частицы. Данная технология используется для нанесений покрытия на частицы размером от 100 мкм до 3 мм.
Такая оболочка служит в качестве защиты для лучшей сохранности свойств или стойкости продукта при хранении, а также обеспечивает дополнительные функции — например, маскировку запаха и вкуса или целенаправленное высвобождение активного вещества.
Нанесение покрытий распылением возможно на любой установке псевдоожиженного слоя — как правило, в циклическом режиме. Для некоторых случаев применения покрытий используются также непрерывные процессы. Пленкообразующий материал наносится из раствора, суспензии или в виде расплава. При этом необходимо следить за тем, чтобы при нанесении не образовывалось жидкостных мостиков, вызывающих нежелательную агломерацию.
При нанесении покрытия из раствора или суспензии жидкость служит только для переноса вещества покрытия на поверхность частицы. А при нанесении расплава для создания оболочки используется все распыляемое вещество. Технологии Glatt обеспечивают оптимальное время пребывания частиц в рабочей зоне, что придает получаемому покрытию превосходное качество.
В зависимости от расположения распылительных форсунок различаются следующие методы нанесения: сверху (Top-Spray), по касательной (Tangential-Spray), снизу (Bottom-Spray, метод Wurster) или роторный метод. В зависимости от стоящих перед вами задач, любой из этих методов может быть реализован в одной и той же современной установке псевдоожиженного слоя.
